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师资力量

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  • 姓名:

    李祎

  • 职称职务:

    讲师

  • 专业方向:

    先进存储器及系统

  • 电话:

    027-87792692

  • 电邮:

    liyi@hust.edu.cn

  • 地址:

    武汉光电国家实验室F105

基本信息

  主要从事忆阻器等新型半导体存储器件的物理机制,及其在非易失性信息存储、类脑认知存储、非易失性逻辑运算等领域的应用研究。

参与承担了国家863重大项目子课题、863面上项目、国家国际科技合作项目、国家自然科学基金面上项目等国家级科研项目。

目前发表论文十余篇。申请国际发明专利及国内发明专利十余项。

科研成果

部分代表性论文:

1.         P. Yan, Y. Li, Y. J. Hui, S. J. Zhong, Y. X. Zhou, L. Xu, N. Liu, H. Qian, H. J. Sun*, X. S. Miao, Conducting mechanism of forming-free TiW/Cu2O/Cu memristive devices, Applied Physics Letters, (In press) 2015.

2.         J. T. Yu, Y. Li, X. M. Mu, J. J. Zhang, X. S. Miao, and S. N. Wang, “Modeling the AgInSbTe memristor”, Radioengineering,(In press)2015.

3.         Y. P. Zhong, Y. Li, L. Xu, and X. S. Miao*, Simple square spikes for implementing spike-timing-dependent plasticity in phase-change memory, Physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 9(7): 414-419 (2015).

4.         Y. Li, L. Xu, Y. P. Zhong, Y. X. Zhou, S. J. Zhong, Y. Z. Hu, L. O. Chua, and X. S. Miao*, “Associative learning with temporal contiguity in a memristive circuit for large-scale neuromorphic networks”,Advanced Electronic Materials,doi:10.10002/aelm.201500125 (2015).

5.         Y. X. Zhou, Y. Li, L. Xu, S. J. Zhong, H. J. Sun, and X. S. Miao*, “16 Boolean logics in three steps with two anti-serially connected memristors”, Applied Physics Letters, 106, 233502 (2015).

6.         L. Xu, Y. Li, N. N. Yu, Y. P. Zhong, and X. S. Miao*, “Local order origin of thermal stability enhancement of amorphous Ag doping GeTe”, Applied Physics Letters, 106, 031904 (2015).

7.         Y. Li, Y. P. Zhong, J. J. Zhang, L. Xu, Q. Wang, H. J. Sun, H. Tong, X. M. Cheng and X. S. Miao*, Activity-dependent synaptic plasticity of a chalcogenide electronic synapse for neuromorphic systems, Scientific Reports, 4, 4906 (2014).

8.         Y. Li, Y. P. Zhong, L. Xu, J. J. Zhang, X. H. Xu, H. J. Sun, and X. S. Miao*, Ultrafast synaptic events in a chalcogenide memristor, Scientific Reports, 3, 1619 (2013).

9.         Y. Li, Y. P. Zhong, J. J. Zhang, X. H. Xu, Q. Wang, L. Xu, H. J. Sun, and X. S. Miao*, Intrinsic memristance mechanism of crystalline stoichiometric Ge2Sb2Te5Applied Physics Letters, 103, 043501 (2013).

10.     Y. Li, Y. P. Zhong, Y. X. Zhou, Y. F. Deng, L. Xu, and X. S. Miao*, AND, OR, NOT Boolean logic in phase change memory, Journal of Applied Physics, 114, 234503 (2013).

11.     J. J. Zhang, H. J. Sun*, Y. Li, Q. Wang, X. H. Xu, and X. S. Miao, AgInSbTe memristor with gradual resistance tuning, Applied Physics Letters, 102, 183513 (2013).

12.     X. M. Long, X. S. Miao*, J. J. Sun, X. M. Cheng, H. Tong, Y. Li, D. H. Yang, J. D. Huang, and C. Liu, Dynamic switching characteristic dependence on sidewall angle for phase change memory, Solid-State Electronics, 67, 1 (2012).

主要经历

2005年至2009年         华中科技大学电子科学与技术专业本科生;

2009年至2010年         华中科技大学微电子学与固体电子学专业硕士研究生;

2010年至2014年3月     华中科技大学微电子学与固体电子学专业博士研究生;

2014年4月至2015年2月华中科技大学光学与电子信息学院研究助理;

2015年3月至现在        华中科技大学光学与电子信息学院讲师。

研究方向

(1)     微电子学与固体电子学专业/微电子材料与器件方向;

(2)     电子信息材料与元器件专业/信息存储材料与器件方向;