姓 名： 缪向水
职称：教授（教育部“长江学者”特聘教授、国务院享受政府特殊津贴专家）
专业方向：信息存储材料及器件
个人简介：
华中科技大学集成电路学院院长、武汉国际微电子学院院长、光学与电子信息学院副院长、武汉光电国家研究中心微纳电子学方向召集人、信息存储材料及器件研究所所长、蔡少棠忆阻器研究中心主任；
华中科技大学校学术委员会委员、市政府第八届决策咨询委员会委员、湖北省集成电路产业发展专家咨询委员会副主任；
国家先进存储产业创新中心首席科学家、湖北江城实验室副主任兼首席科学家、先进存储器湖北省重点实验室主任、湖北省微电子工程研究中心主任、湖北省薄膜材料检测技术工程实验室技术委员会主任、华中科技大学-长江存储联合实验室主任、华中科技大学-华为联合实验室主任。
学习工作经历：
1982 年至1986 年 华中工学院（现华中科技大学）电子材料与元器件专业本科生；
1986 年至1989 年 华中理工大学（现华中科技大学）电子材料与元件专业硕士研究生；
1994年至1996 年 华中理工大学（现华中科技大学）电子材料与元器件专业博士研究生；
1989 年至1996 年 任华中理工大学（现华中科技大学）助教、讲师、副教授；
1996 年至1997 年 任香港城市大学副研究员、研究员；
1997 年至2007 年 任新加坡国立大学/国家数据存储研究院首席研究工程师、4 级科学家；
2007 年至现在 任华中科技大学教授、博士生导师。
学术兼职：
中国存储器产业联盟副理事长、中国半导体三维集成制造产业联盟副理事长、中国仪表功能材料学会副理事长、中国微米纳米技术学会常务理事、中国真空学会薄膜专委会副主任委员。
学科专业：
(1) 电子科学与技术专业/集成电路与集成系统方向或微电子技术方向（学术学位）；
(2) 集成电路工程专业或新一代电子信息技术专业 (专业学位）
(3) 集成电路科学与工程专业/先进存储器方向（学术学位）
(4)人工智能专业/认知计算与类脑智能方向（学术学位）
联系方式：
电话：027-87792091
Email: miaoxs@ hust.edu.cn
办公地点：华中科技大学光电信息大楼D732
主要成果：
主要从事三维相变存储器、忆阻器、类脑智能计算与逻辑运算等信息存储材料及器件方向的研究。近年来主持承担了国家重点研发计划项目、国家02重大专项课题、国家863重大项目课题、863面上项目、国家国际科技合作项目、国家自然科学基金项目等科研项目。已发表论文300余篇，获得美国发明专利授权8项，授权中国发明专利135项。
科研获奖：
（1）“薄膜材料热特性测试技术及仪器”, 湖北省技术发明一等奖，2020年
（2）“Superlattice-like rewritable phase-change optical media”, National Technology Award(Singapore) 新加坡国家技术奖(年度唯一)，2004年
（3）“加固光盘技术研究”，国家科技进步奖，1998年
（4）“宽温光记录材料工艺研究”，国家科技进步奖，1992年
代表性著作和论文（2018-2021）：
（1）《忆阻器导论》，缪向水等，2018年，科学出版社
（2）2D materials-based homogeneous transistor-memory architecture for neuromorphic hardware, Science, DOI: 10.1126/science.abg3161，2021
（3）Forming-free and Annealing-free V/VOx/HfWOx/Pt Device Exhibiting Reconfigurable Threshold and Resistive switching with high speed and high endurance，Oral presentation，IEDM International Electron Devices Meeting，2021
（4）Complementary Graphene-Ferroelectric Transistors as Synapses with Modulatable Plasticity for Supervised Learning，Oral presentation，IEDM International Electron Devices Meeting，2019
（5）Recent advances on neuromorphic devices based on chalcogenide phase-change materials，Advanced Functional Materials，30, 2003419, 2020
（6）Functional Demonstration of a Memristive Arithmetic Logic Unit (MemALU) for In‐Memory Computing, Advanced Functional Materials, 29, 1905660，2019
（7）Synaptic Suppression Triplet-STDP Learning Rule Realized in Second-Order Memristors, Advanced Functional Materials, 28, 1704455，2018
（8）Recent progress on memristive convolutional neural networks for edge intelligence, Advanced Intelligent Systems，2, 2000114 , 2020
（9）Effects of Temperature on the Performance of HfZrO Based Negative Capacitance FETs, IEEE Electron Device Letters, 41, 1625, 2020
（10）Low-Power Artificial Neurons Based on Ag/TiN/HfAlOx/Pt Threshold Switching Memristor for Neuromorphic Computing，IEEE Electron Device Letters, 41, 1245, 2020
（11）Forming-free, fast, uniform, and high endurance resistive switching from cryogenic to high temperatures in W/AlOx/Al2O3/Pt bilayer memristor，IEEE Electron Device Letters，41，549，2020
（12）High-Precision Symmetric weight update of memristor by gate voltage ramping method for convolutional neural network accelerator，IEEE Electron Device Letters, 41, 353, 2020
（13）Ultra-low Program Current and Multilevel Phase Change Memory for High Density Storage Achieved by a Low Current SET Pre-operation, IEEE Electron Device Letters, 40, 1595, 2019.
（14）Coexistence of digital and analog resistive switching with low operation voltage in oxygen-gradient HfOx memristors, IEEE Electron Device Letters，40, 1068，2019
（15）Composition-Dependent Ferroelectric Properties in Sputtered HfXZr1−XO2 Thin Films, IEEE Electron Device Letters，40, 570，2019
（16）LiSiOX-Based Analog Memristive Synapse for Neuromorphic Computing, IEEE Electron Device Letters, 40, 542, 2019
（17）Reconfigurable Boolean Logic in Memristive Crossbar: The Principle and Implementation, IEEE Electron Device Letters, 40 , 200, 2019
（18）Reducing Forming Voltage by Applying Bipolar Incremental Step Pulse Programming in a 1T1R Structure Resistance Random Access Memory，IEEE Electron Device Letters，39, 815，2018
（19）Dual-Layer Selector With Excellent Performance for Cross-Point Memory Applications, IEEE Electron Device Letters，39, 496，2018
（20）Memcomputing: fusion of memory and computing, SCIENCE CHINA Information Sciences, 61, 060424，2018
授权中国发明专利135项，授权美国专利8项
（1） 缪向水、童浩、程晓敏, MULTI-LAYER PHASE CHANGE MATERIALS, 2017.1.10, 美国，US 9543510
（2） 缪向水、李祎、钟应鹏，NON-VOLATILE LOGIC DEVICE BASED ON PHASE-CHANGE MAGNETIC MATERIALS AND LOGIC OPERATION METHOD THEREOF，2017.1.10，美国，US 9543955
（3） 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊，ASSOCIATIVE MEMORY CIRCUIT，2017.2.7，美国 ，US 9564218
（4） 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、程晓敏，NONVOLATILE LOGIC GATE CIRCUIT BASED ON PHASE CHANGE MEMORY，2016.6.14，美国，US 9369130
（5） 缪向水、周亚雄、李祎、孙华军，NON-VOLATILE BOOLEAN LOGIC OPERATION CIRCUIT AND OPERATION METHOD THEREOF，2016.10.28，美国，US 9473137
（6） 缪向水、李祎、钟应鹏、许磊、孙华军、徐小华，JOINT SHORT-TIME AND LONG-TIME STORAGE DEVICE AND STORAGE METHOD THEREOF，2016.8.16，美国，US 9418733
（7） 刘群、张涛、缪向水、李祎、周亚雄， Memristor-based processor integrating computing and memory and method for using the processor，2018.07.10，美国，US10020054
（8） 缪向水、童浩、马立樊,Phase-change memory cell with vanadium oxide based switching layer，2021.07.06，美国，US11056644
